【重磅發(fā)布】IGBT功率半導體模塊封裝垂直固化爐在深圳浩寶研發(fā)成功,實現(xiàn)進口替代!

發(fā)布時間 : 2022-09-30 閱讀量:1654 打印本頁 收藏此頁

在全球“雙碳”背景下,新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,電動車、充電樁、光伏等市場對IGBT功率半導體芯片和模塊的需求迎來爆發(fā)式增長。

雙碳背景,新能源市場快速發(fā)展

IGBT是指絕緣柵雙極型晶體管芯片,是目前大功率開關元器件中最為成熟也是應用最為廣泛的功率器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低,是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,被稱為“電子電力裝置的心臟”,發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上,它具有輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點。


IGBT模塊
IGBT模塊封裝示意圖


IGBT的發(fā)展趨勢是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本。特別是高壓變頻器的開發(fā)和應用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,簡化調(diào)試工作等,都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系。

IGBT模塊是新能源車的心臟

在IGBT產(chǎn)業(yè)中,車規(guī)級芯片和模塊的安全性和穩(wěn)定性要求更高、研發(fā)周期長、技術門檻高、資金投入大,因此,發(fā)展車規(guī)級芯片和模塊面臨的挑戰(zhàn)也更多。

IGBT產(chǎn)業(yè)中車規(guī)級芯片和模塊的安全性和穩(wěn)定性要求更高

IGBT模塊的封裝具有較大難度,其痛點主要在于封裝效率低、良品率低,究其原因,則主要在于封裝設備的自動化程度不高、封裝過程中器件容易出現(xiàn)氧化、溫度均勻性和潔凈度難以有效控制,導致封裝模塊出品一致性降低,成本居高不下。

IGBT功率半導體模塊封裝工藝流程

針對以上痛點,浩寶技術團隊研發(fā)出一款專門用于IGBT模塊封裝的垂直固化爐,可全自動生產(chǎn),避免器件氧化,均溫性好,潔凈度高,為IGBT功率半導體封裝制造企業(yè)帶來高效率、高良品率的解決方案。


IGBT功率半導體模塊封裝垂直固化爐

據(jù)介紹,浩寶這款IGBT模塊封裝垂直固化爐的核心技術優(yōu)勢和特點如下:

一、全自動生產(chǎn)和管理,大幅減少人工。

設備采用模塊化結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了上下料、烘烤、冷卻、緩存等全自動、在線式生產(chǎn),生產(chǎn)效率高,產(chǎn)能可根據(jù)客戶需求進行增減、調(diào)整。它避免了傳統(tǒng)封裝工藝的多項弊病,比如傳統(tǒng)烘烤固化設備需要人工手動操作,工作量大、效率低,固化品質(zhì)不一致,高溫容易造成人員被燙傷等問題。

該設備還可對接MES系統(tǒng),實現(xiàn)工業(yè)4.0,對設備進行遠程監(jiān)控和智能管理。

浩寶IGBT功率半導體模塊封裝固化爐智能管理

二、低殘氧量,避免器件氧化

設備采用獨特結(jié)構(gòu)設計,已申請發(fā)明專利,可保證在傳輸、加熱、冷卻和緩存過程中殘氧量控制在1000PPM以內(nèi),有效避免金屬等熱敏性器件的氧化。

浩寶IGBT模塊封裝垂直固化爐殘氧量低,避免器件氧化

三、高潔凈度,滿足無塵化生產(chǎn)要求

設備密閉性好,并采用高效過濾和清潔系統(tǒng),使得封裝過程達到千級潔凈度,滿足無塵化生產(chǎn)要求。

浩寶IGBT模塊封裝垂直固化爐潔凈度高達千級

四、高均溫性,出品一致性好

設備采用優(yōu)秀的加熱、溫控模塊及獨特的風道、腔體設計,可確保高的加熱效率和溫度均勻、穩(wěn)定,使得烘烤、固化均勻,出品一致性高。


浩寶IGBT模塊封裝垂直固化爐溫度均勻,可實時監(jiān)控
浩寶IGBT模塊封裝垂直固化爐溫度曲線,控溫均勻


浩寶研發(fā)成功的這款IGBT模塊全自動垂直固化爐,突破多項關鍵技術難點,價格僅為國外進口設備的三分之一,為功率半導體廠商提供更具性價比的封裝固化設備及解決方案,是IGBT制造、封裝廠商們難得的福音。